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一種鍺基砷化鎵多結(jié)柔性薄膜太陽(yáng)電池的制作方法與工藝技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):12191535

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本實(shí)用新型涉及薄膜太陽(yáng)電池的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)砷化鎵化合物太陽(yáng)電池一直以來(lái)都是各國(guó)研究的熱點(diǎn),受到人們的普遍重視,并且相較于傳統(tǒng)硅基太陽(yáng)電池有著較高的光電轉(zhuǎn)換效率和優(yōu)良的可靠性,從而在空間電源領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。常規(guī)太陽(yáng)電池芯片的制作方法是:先在P型Ge襯底上依次生長(zhǎng)N型GaInP的成核層形成低電池、N型GaAs緩沖層、第一隧穿結(jié)、InGaAs中電池、第二隧穿結(jié)、GaInP頂電池、N型AlInP窗口層、N型GaAs接觸層完成外延片的生長(zhǎng),取得電池外延片。然后將電池外延片經(jīng)過(guò)酸性清洗、干燥,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。

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