技術(shù)編號(hào)：12191519
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件，特別涉及量子隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管。背景技術(shù)傳統(tǒng)MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)是通過柵極電壓調(diào)節(jié)溝道區(qū)的能帶結(jié)構(gòu)，使得電子能夠通過溝道流向漏極，但這所需要的外偏壓及柵極電壓相對(duì)較大，功耗較高。由此人們提出了一種新的電子器件，量子隧穿場(chǎng)效應(yīng)晶體管(TFET)，它是在較小的偏壓及柵極電壓下調(diào)節(jié)隧穿溝道材料的能帶，進(jìn)而控制電子隧穿溝道區(qū)的難易程度，實(shí)現(xiàn)電流的開關(guān)態(tài)。傳統(tǒng)的TFET結(jié)構(gòu)如圖1所示，包含p型參雜的源極、n型參雜的漏極、未參雜本征半導(dǎo)體的隧穿溝道區(qū)以及柵極。...
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