技術(shù)編號：12185421
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本申請主張基于在2014年7月10日申請的日本專利申請第2014－142353號和在2014年8月29日申請的日本專利申請第2014－189416號的優(yōu)先權(quán)。該申請的全部內(nèi)容作為參考援引于本說明書中。本說明書中，公開了涉及半導(dǎo)體基板的制造方法等的技術(shù)，能夠提高具備彼此相接的第1和第2半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體基板的電特性。背景技術(shù)在日本特表2004－503942號公報中公開了一種在多晶碳化硅上具有單晶碳化硅的活性層的基板的制造方法。該制造方法中，在多晶碳化硅支承體上蒸鍍非晶材料層(非晶硅)。然后，將多晶碳...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。