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技術(shù)編號：12180582

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本發(fā)明屬于集成電路技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種基于CH3NH3PbI3材料的互補型HEMT及其制備方法。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HighElectronMobilityTransistor,簡稱HEMT)是一種異質(zhì)結(jié)場效應(yīng)晶體管，又稱為調(diào)制摻雜場效應(yīng)晶體管(ModulationDopedFieldEffectTransistor,簡稱MODFET)、二維電子氣場效應(yīng)晶體管(Two-DimensionalElectronGasFieldEffectTransistor,簡稱2-DEGFET)、選擇摻...
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