技術(shù)編號(hào):12168715
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于等離子體處理技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種氣體組分自動(dòng)控制的等離子體化學(xué)氣相沉積設(shè)備。背景技術(shù)化學(xué)氣相沉積(CVD)是半導(dǎo)體工業(yè)中應(yīng)用最為廣泛的用來(lái)沉積多種材料的技術(shù),包括大范圍的絕緣材料,大多數(shù)金屬材料和金屬合金材料。從理論上來(lái)說(shuō),它是很簡(jiǎn)單的:兩種或兩種以上的氣態(tài)原材料導(dǎo)入到一個(gè)反應(yīng)室內(nèi),然后他們相互之間發(fā)生化學(xué)反應(yīng),形成一種新的材料,沉積到晶片表面上。沉積氮化硅膜(Si3N4)就是一個(gè)很好的例子,它是由硅烷和氮反應(yīng)形成的。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)是將低壓氣體放電形成的等離子...
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