技術(shù)編號(hào)：12168698
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。通過PEALD形成氮化鋁基膜的方法背景發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明一般涉及一種用于通過等離子體增強(qiáng)的原子層沉積(PEALD)在基材上形成氮化鋁基膜的方法。背景技術(shù)銅(Cu)已在硅器件的多級(jí)互聯(lián)中用作主要的線材料。由于銅容易擴(kuò)散至晶體管層、絕緣層或類似的層，因此使用Ta/TaN或類似物作為朝向Cu線的側(cè)面和底部的阻擋金屬層，并且將SiN、SiCN或類似物通常用作沉積在Cu線頂部上的擴(kuò)散阻擋層和/或蝕刻停止層。為了實(shí)現(xiàn)硅器件的速度增加和能量節(jié)約，必需降低器件自身的有效介電常數(shù)，而常用的擴(kuò)散阻擋層和蝕刻停止層并不令...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。