技術(shù)編號(hào)：12118760
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于核聚變領(lǐng)域，具體涉及一種用于研究材料腐蝕沉積的輻照樣品支架。背景技術(shù)面向等離子體材料（plasmafacingmaterial，PFM）是實(shí)現(xiàn)核聚變的關(guān)鍵問題之一。在托卡馬克裝置中，PFM直接面對(duì)高溫等離子體，其服役條件非常苛刻，且易與等離子體發(fā)生相互作用，發(fā)生改性。等離子體與壁材料相互作用（plasmawallinteraction,PWI）的主要機(jī)制是壁材料表面的濺射，蒸發(fā)，吸附/脫附等，研究方向?yàn)椴牧系母g，沉積，雜質(zhì)遷移，滯留等。其中，材料的腐蝕與沉積頗受關(guān)注，原因有四：第一，...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。