技術(shù)編號：12117886
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種基于FPGA的低功耗SRAM字線電壓實現(xiàn)電路及方法，屬于靜態(tài)隨機存儲器的技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)SRAM(StaticRandonAcessMemory)，即靜態(tài)隨機存取存儲器，是一種具有靜態(tài)存取功能的內(nèi)存，不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。在FPGA存儲陣列中，六管結(jié)構(gòu)的SRAM最為常見，如圖1所示。SRAM的工作通常分為三部分：保持數(shù)據(jù)，讀數(shù)據(jù)和寫數(shù)據(jù)。讀數(shù)據(jù)時，先把字線電壓充到高電平，使門管導(dǎo)通，然后數(shù)據(jù)結(jié)點向位線充/放電，靈敏放大器識別出兩根位線的電壓差將電平放大成合格的高...
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