技術編號:12116312
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型屬于電力電子器件檢測技術領域,尤其是一種IGBT可靠性試驗中的結構失效模式視頻監(jiān)測系統(tǒng)。背景技術絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合型全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件,IGBT器件綜合了MOSFET和GTR兩種器件的優(yōu)點,不僅驅(qū)動簡單、功率等級高、功耗小,而且飽和壓降低、熱穩(wěn)定性好。IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品。IGBT模塊具有節(jié)能、安裝方...
注意:該技術已申請專利,請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權人授權前,僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權,增加技術思路,做技術知識儲備,不適合論文引用。