技術(shù)編號(hào):12110432
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及單晶生長(zhǎng)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種熔區(qū)附加磁場(chǎng)裝置及具有其的VGF單晶生長(zhǎng)爐。背景技術(shù)VGF(verticalgradientfreeze,VGF)法即垂直梯度冷凝法是由美國(guó)學(xué)者Sonnenberg等人開(kāi)發(fā)的一項(xiàng)專利技術(shù)。近年來(lái),國(guó)內(nèi)外的科研人員對(duì)VGF法生長(zhǎng)單晶進(jìn)行了大量的實(shí)驗(yàn)研究,并取得了諸多的成果。美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的Monberg等人利用VGF法生長(zhǎng)了磷化銦(InP)和砷化鎵(GaAs)晶體,首次將VGF技術(shù)應(yīng)用于半導(dǎo)體化合物單晶生長(zhǎng)。隨著VGF技術(shù)的不斷改進(jìn),更多的半導(dǎo)體單晶被生...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。