技術(shù)編號(hào)：12099864
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種在SiC襯底上通過點(diǎn)籽晶工藝定位生長大尺寸單晶石墨烯的新方法，屬于微電子材料技術(shù)領(lǐng)域。背景技術(shù)石墨烯是由C原子以sp2軌道組成的六角形成蜂巢狀的單層原子二維晶體。2004年，英國曼徹斯特大學(xué)Geim和Novoselov所在小組首次利用膠帶微機(jī)械剝離高定向熱解石墨得到了二維石墨烯，打破了之前二維材料不能獨(dú)立存在的定論。石墨烯作為碳基材料，其特定的二維結(jié)構(gòu)決定了它可以合成其余維度碳納米材料如零維富勒烯、一維碳納米管、三維石墨以及幾何形狀不盡相同的石墨烯納米條帶。同時(shí)石墨烯材料因獨(dú)特的二...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。