技術(shù)編號(hào)：12099362
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及改善的電子束處理技術(shù)，尤其涉及用于以納米級(jí)分辨率制造的改善的技術(shù)。背景技術(shù)電子束誘發(fā)沉積（EBID）是一種用于在襯底表面上沉積材料的技術(shù)。EBID通過電子束和沉積前體的相互作用在襯底表面上沉積材料。通常，該前體是氣體并且待沉積的材料是金屬。電子束誘發(fā)刻蝕（EBIE）是另一種用于襯底表面改性的技術(shù)。在EBIE中，電子束通常通過刻蝕前體氣體輔助在輻照區(qū)域中誘發(fā)刻蝕。電子束誘發(fā)沉積是有吸引力的，因?yàn)樗沟媚軌驅(qū)崿F(xiàn)在掃描電子顯微鏡（SEM）中的直寫（direct-write）納米制造和高分辨率...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。