技術編號：12071482
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明的實施例總體上涉及形成選擇性柵極間隔體并且更具體來說，涉及在半導體鰭狀物上提供阻擋材料，以使得選擇性形成的柵極間隔體可以設置在隨后形成的柵極上，以及涉及使用這些技術形成的器件結構、器件、和系統(tǒng)。背景技術用于三柵極晶體管制造中的替代柵極工藝的當前集成操作可以包括若干步驟，這些步驟是復雜的并且使得難以實現(xiàn)期望的結構。例如，在當前工藝中，電介質(zhì)柵極間隔體材料可以沉積在犧牲(例如，虛設)柵極以及鰭狀物之上、在鰭狀物的源極和漏極接觸區(qū)中。沉積可以是非選擇性的，以使得電介質(zhì)柵極間隔體材料形成在期望的區(qū)...
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