技術(shù)編號(hào)：12065882
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于制造電子器件的方法和由此得到的電子器件，電子器件特別地是HEMT晶體管(高電子遷移率晶體管)。背景技術(shù)本領(lǐng)域已知的是具有異質(zhì)結(jié)構(gòu)的HEMT晶體管，特別地由氮化鎵(GaN)和鋁鎵氮(AlGaN)制成。例如，HEMT器件由于它們的高擊穿閾值而適合用作功率開(kāi)關(guān)。此外，HEMT晶體管的導(dǎo)電溝道中的高電流密度使得能夠得到導(dǎo)電溝道的低通態(tài)電阻(RON)。為了支持HEMT晶體管在高功率應(yīng)用中的使用，已經(jīng)引入具有常關(guān)溝道的HEMT晶體管。具有凹入柵極端子的HEMT器件已經(jīng)證實(shí)特別有利于用作具有常關(guān)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。