技術(shù)編號：12065850
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種上電極組件及半導(dǎo)體加工設(shè)備。背景技術(shù)目前，等離子體加工設(shè)備越來越廣泛地應(yīng)用于集成電路(IC)、功率器件、MEMS器件等的制造工藝中。其中一個(gè)顯著的應(yīng)用就是電感耦合等離子體(InductiveCoupledPlasma，簡稱ICP)設(shè)備，其由電流通過射頻線圈產(chǎn)生的電磁場激發(fā)反應(yīng)氣體產(chǎn)生等離子體。隨著高刻蝕速率的需求不斷增高，要求等離子體的密度也隨之增大，為此，采用立體線圈環(huán)繞在陶瓷桶外側(cè)已成必然。在進(jìn)行工藝的過程中，溫度是保證高質(zhì)量工藝結(jié)果和反應(yīng)腔室穩(wěn)定性...
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