技術(shù)編號：12065471
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。電子設(shè)備相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年11月13日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0159668的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開的示例性實(shí)施例涉及一種存儲電路或器件及該存儲電路或器件在電子設(shè)備中的一些應(yīng)用。背景技術(shù)近來，已經(jīng)對用于取代DRAM和快閃存儲器的存儲器件積極地進(jìn)行了研究。這些存儲器件中的一種為使用具有如下電阻值的材料的電阻式存儲器件，該材料的電阻值根據(jù)施加給其的偏置而改變且在不同電阻態(tài)之間切換。即，電阻式存儲器件使用可變電阻材料。電阻式存儲器件的代表...
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