技術(shù)編號(hào)：12062111
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。：本發(fā)明涉及紅外光學(xué)系統(tǒng)，特別的，是涉及到一種短波紅外波段(0.9-1.7μm)的成像光學(xué)系統(tǒng)。背景技術(shù)：在電磁波波譜上，波長(zhǎng)自760nm至400μm的電磁波被稱為紅外波段。紅外線的波長(zhǎng)大于可見(jiàn)光波段(350nm～770nm)，在人的肉眼感光范圍之外。其中短波紅外(0.9-1.7μm)波段，其波長(zhǎng)接近可見(jiàn)光，成像兼有自發(fā)輻射和反射成像的特點(diǎn)，近些年來(lái)在軍事和民用領(lǐng)域得到重視，發(fā)展出了一系列的應(yīng)用方向。短波紅外銦鎵砷(InGaAs)焦平面探測(cè)器在0.9μm～1.7μm波段具有非制冷室溫工作、探測(cè)率...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。