技術(shù)編號：12039834
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種兼顧248nm附近波段和365nm附近波段的光強度，并在各波段下在使用壽命中的光強度的保持率高的超高壓汞燈。背景技術(shù)作為半導(dǎo)體制造工藝已知有曝光工序，其利用曝光技術(shù)，使用所謂光刻機(stepper)的裝置，對涂布于硅晶片的抗蝕劑隔著光刻膠照射紫外線，重復(fù)該曝光工序，而制造層疊有細微的圖案的半導(dǎo)體芯片。但是，在硅晶片上，除了包含形成有多個半導(dǎo)體芯片的區(qū)域以外，還存在沒有被利用的周邊部。高效除去殘留于該周邊部的抗蝕劑是提高半導(dǎo)體芯片制造的效率和成品率等生產(chǎn)性的重要的工藝技術(shù)。近年來，隨...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。