技術(shù)編號(hào)：12008670
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種氧化物薄膜晶體管及其制備方法。背景技術(shù)薄膜晶體管（TFT，ThinFilmTransistor）主要應(yīng)用于控制和驅(qū)動(dòng)液晶顯示器（LCD，LiquidCrystalDisplay）、有機(jī)發(fā)光二極管（OLED，OrganicLight-EmittingDiode）顯示器的子像素，是平板顯示領(lǐng)域中最重要的電子器件之一。在平板顯示方面，目前主要使用氫化非晶硅（a-Si:H）或多晶硅等材料的薄膜晶體管，然而氫化非晶硅材料的局限性主要表現(xiàn)在對光敏感、電子遷移率低（<...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。