技術(shù)編號(hào)：11972867
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及磁性材料領(lǐng)域，尤其涉及一種具有反鐵磁層間耦合的磁性多層膜及其制備方法。背景技術(shù)層間交換耦合現(xiàn)象是指在磁性多層膜中，根據(jù)中間層材料厚度的不同，各磁性層的磁化強(qiáng)度能實(shí)現(xiàn)平行或者反平行耦合。1986年法國(guó)科學(xué)家阿爾貝·費(fèi)爾和德國(guó)科學(xué)家彼得·格林貝格爾相繼在Fe/Cr多層膜中觀察到反鐵磁層間耦合行為，且發(fā)現(xiàn)利用磁場(chǎng)改變?cè)擉w系的磁化構(gòu)型時(shí)能引起電阻顯著的變化，即所謂的巨磁電阻效應(yīng)(GMR)，該效應(yīng)來(lái)源于界面處與自旋相關(guān)的電子散射，目前已被廣泛應(yīng)用于當(dāng)前的硬盤讀寫技術(shù)中。早期的研究中，中間層材料均...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。