技術(shù)編號：11956123
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片制造領(lǐng)域，更具體涉及功率器件及其制作方法。背景技術(shù)垂直雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)的漏源兩極分別在器件的兩側(cè)，使電流在器件內(nèi)部垂直流通，增加了電流密度，改善了額定電流，單位面積的導(dǎo)通電阻也較小，是一種用途非常廣泛的功率器件。垂直雙擴(kuò)散場效應(yīng)晶體管(VDMOS)的最重要的性能參數(shù)就是工作損耗，工作損耗可以分為導(dǎo)通損耗，截止損耗和開關(guān)損耗三部分。其中導(dǎo)通損耗由導(dǎo)通電阻決定，截止損耗受反向漏電流大小影響，開關(guān)損耗是指器件開關(guān)過程中寄生電容充放電帶來的損耗。為了滿足功率器件適應(yīng)高...
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