技術(shù)編號：11955909
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子封裝技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種基于納米氮化鋁/聚酰亞胺復(fù)合材料轉(zhuǎn)接板及其制備方法。背景技術(shù)基于硅通孔(TSV)互連的三維堆疊封裝以其堆疊密度最大、片間互連線最短、外形尺寸最小和顯著降低功耗、提升芯片速度的潛力而備受重視，被認(rèn)為是引線鍵合堆疊封裝之后最具發(fā)展?jié)摿Φ母呙芏?D封裝技術(shù)，又稱TSV封裝。TSV轉(zhuǎn)接板是按照設(shè)計(jì)分布的金屬柱陣列和填充其間的絕緣介質(zhì)構(gòu)成，PI、BCB等是目前絕緣介質(zhì)層最常用的聚合物介質(zhì)材料，雖然擁有過程簡單、效率高、成本低、臺階覆蓋性好等顯著優(yōu)點(diǎn)，但熱導(dǎo)率低...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。