技術(shù)編號：11955714
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域，更具體地，涉及一種可降低腔體內(nèi)金屬污染含量的多晶硅刻蝕腔及方法。背景技術(shù)請參閱圖1，圖1是現(xiàn)有的一種多晶硅刻蝕腔內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，多晶硅刻蝕腔10內(nèi)部設(shè)有靜電吸附盤14，用于將硅片15吸附固定在靜電吸附盤14表面進(jìn)行工藝。在靜電吸附盤14下方設(shè)有下電極12，在下電極12下方設(shè)有基座11，并環(huán)繞靜電吸附盤14設(shè)有聚焦環(huán)13，用于對其下方的下電極12進(jìn)行保護(hù)。請繼續(xù)參閱圖1。在現(xiàn)有的多晶硅刻蝕機(jī)臺的靜電吸附盤設(shè)計(jì)中，用于將靜電吸附盤14、下電極12、聚焦環(huán)13以及基座...
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