技術(shù)編號：11955597
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體及微電子器件領(lǐng)域，特別涉及一種高遷移率銦鎵鋅氧薄膜晶體管的低溫液相制備方法，銦鎵鋅氧薄膜晶體管在信息電子等領(lǐng)域有重要應(yīng)用前景。背景技術(shù)進入二十一世紀后，顯示器件已經(jīng)成為人們獲取信息、進行信息交換的主要終端設(shè)備，薄膜晶體管（ThinFilmTransistor）作為有源驅(qū)動技術(shù)的關(guān)鍵器件對顯示設(shè)備的整體性能有著舉足輕重的影響。到目前為止，發(fā)展最為成熟的是非晶硅薄膜晶體管及多晶硅薄膜晶體管。然而非晶硅晶體管的缺點是載流子遷移率低(<1cm2/Vs)，難以滿足有機發(fā)光二極管電流驅(qū)...
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