技術(shù)編號(hào)：11955540
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及全環(huán)柵(GAA)晶體管。背景技術(shù)諸如全環(huán)柵(GAA)晶體管的半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體工業(yè)的新興研究領(lǐng)域。然而，由于技術(shù)的限制，在器件大小方面存在挑戰(zhàn)。因此，需要改善上述缺點(diǎn)。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底；第一納米線，位于襯底上方；以及第二納米線，位于襯底上方并且與第一納米線基本對(duì)稱。優(yōu)選地，第一納米線和第二納米線均具有相同的尺寸。優(yōu)選地，第一納米線和第二納米線均具有相同的截面形狀，截面形狀為正方形、矩形和三角形中的至少一種。優(yōu)選...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。