技術編號：11951184
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及憶阻器技術領域，特別涉及一種通用記憶器件模擬器。背景技術2008年HP實驗室采用納米技術物理實現(xiàn)了具有“記憶”特性的非線性電阻，從而證實了蔡少棠教授于1971年提出的憶阻器(memristor)概念及相關理論。憶阻器建立了磁通量和電荷q之間的關系，其阻值與流過電流的歷史有關。由于記憶效應是納米材料普遍存在的一種現(xiàn)象，2008年11月，蔡少棠教授又提出了憶容器(memcapacitor)和憶感器(meminductor)的相關概念。憶阻器、憶容器和憶感器被學術界統(tǒng)稱為記憶器件，與憶阻器不...
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