技術(shù)編號(hào)：11947275
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及X射線光譜測(cè)量和成像領(lǐng)域，尤其涉及一種X射線光譜測(cè)量和分幅成像系統(tǒng)。背景技術(shù)在慣性約束聚變中，高功率激光產(chǎn)生的等離子體發(fā)射的X射線能譜特征受等離子體狀態(tài)(電子密度、發(fā)射體溫度和電荷態(tài)等)制約，不同的等離子體狀態(tài)其發(fā)射的X射線的譜形和相對(duì)強(qiáng)度等均不相同。因此，通過測(cè)量等離子體發(fā)射的X射線能譜可以診斷激光產(chǎn)生的等離子體的溫度、電子密度和X射線發(fā)射體的電荷態(tài)。不同波段的X射線，其能譜測(cè)量的方法也不完全相同，常用于測(cè)量激光等離子體發(fā)射的X射線能譜的儀器有晶體譜儀、光柵譜儀和多層膜反射鏡。在2-...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。