技術(shù)編號(hào)：11937665
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積裝置，還涉及對(duì)上述裝置內(nèi)的排氣口實(shí)施清潔的方法。背景技術(shù)許多半導(dǎo)體器件通過在基片上進(jìn)行處理而形成?；ǔ榫w材料的板。典型地，基片通過晶體材料的沉積而形成，且為圓盤的形式。用于形成這種基片的一個(gè)常見過程為外延生長。例如，由半導(dǎo)體化合物，如Ⅲ-Ⅴ族半導(dǎo)體形成的器件，典型地應(yīng)用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(或稱“MOCVD”)通過生長半導(dǎo)體化合物的連續(xù)層而形成。在這個(gè)過程中，基片暴露至基片表面上方流動(dòng)的氣體組合物，同時(shí)基片保持在高溫下，氣體組合物通常包括作為Ⅲ族金屬來源的金屬有機(jī)化...
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