技術編號：11925613
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及新能源電池領域，具體地說，特別涉及到一種具有交叉電極的晶體硅太陽能電池及其制備方法。背景技術常規(guī)的晶體硅太陽電池是把單晶硅片在擴散爐里擴散形成大面積PN結，形成的電池主體結構。這種常規(guī)晶體硅電池的主體是一個由擴散形成的PN結，光生電動勢由PN結產(chǎn)生，而電流由單晶硅片吸收太陽光產(chǎn)生電子空穴對，分別被光生電動勢拉到兩極產(chǎn)生光生電流。因此可見光在到達吸收層之前必須經(jīng)過窗口層也就是P層，因為這一層是重摻雜層，而且要形成一定的電勢差，P層必須具有一定的厚度，這樣P層勢必造成一定的太陽光損失。而且...
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