技術(shù)編號：11924139
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。半導(dǎo)體器件相關(guān)申請的交叉引用本申請要求2015年11月10日提交的申請?zhí)枮?0-2015-0157217的韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，其通過引用整體合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本公開的實施例涉及半導(dǎo)體器件，更具體地，涉及一種被配置成產(chǎn)生用于執(zhí)行刷新操作的刷新脈沖的半導(dǎo)體器件。背景技術(shù)與靜態(tài)隨機存取存儲(SRAM)器件和快閃存儲器件不同的是，半導(dǎo)體器件中的動態(tài)隨機存取存儲(DRAM)器件即便其電源電壓得到供應(yīng)也可能隨著時間的流逝而丟失其儲存的數(shù)據(jù)。這可能是由于與單元晶體管一起組成DRAM器件的存儲單元的單元電容器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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