技術編號：11900452
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種磁控濺射裝置，尤其是一種圓柱面磁控濺射裝置。背景技術磁控濺射技術可通過調節(jié)靶的組分、濺射參數(shù)以及設備的機械結構等方法來改善膜層的性質和不受基片性質的影響，其產品具有優(yōu)良的膜層均勻性、膜層與基片結合牢固，已在科研及工業(yè)生產領域得到了最為廣泛的應用。近期，人們?yōu)榱私鉀Q平面靶存在著的靶材利用率低、使用周期短、換靶時間長等缺陷，研制了圓柱形磁控濺射器，如中國發(fā)明專利CN101126152B于2010年4月21日公告的一種柱狀磁控濺射器。該發(fā)明專利結合其中的圖3和圖4介紹了一種現(xiàn)有的圓柱磁控...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。