技術(shù)編號(hào)：11891513
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及太陽(yáng)能電池的制造方法以及太陽(yáng)能電池。背景技術(shù)以往，在晶體硅太陽(yáng)能電池中，受光面?zhèn)鹊臄U(kuò)散層的擴(kuò)散濃度以及深度是決定表面再次結(jié)合速度以及擴(kuò)散層內(nèi)的再次結(jié)合速度的主要因素，所以對(duì)變換效率造成大的影響。作為擴(kuò)散層的雜質(zhì)濃度依賴性，當(dāng)為高濃度時(shí)，再次結(jié)合速度增加，但另一方面，與電極的接觸電阻以及表面導(dǎo)電率下降，所以內(nèi)部電阻損耗降低。在以往的太陽(yáng)能電池的擴(kuò)散層方面，進(jìn)行考慮了再次結(jié)合與內(nèi)部電阻損耗的平衡的設(shè)計(jì)。為了太陽(yáng)能電池的高效化，提出了使電極下部為高濃度并使除此以外的受光面部為低濃度的構(gòu)造，該...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。