技術(shù)編號(hào)：11891451
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及匯流條。背景技術(shù)已廣泛地采用了將安裝有IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：絕緣柵雙極型晶體管)、FWD(FreeWheelingDiode：續(xù)流二極管)等的多個(gè)半導(dǎo)體模塊并聯(lián)連接而成的半導(dǎo)體裝置。對(duì)于這樣的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體模塊，雖然在電路中為并聯(lián)連接，但是在結(jié)構(gòu)上它們距離電源的布線距離有時(shí)是不同的。在此情況下，并聯(lián)連接的半導(dǎo)體模塊彼此之間由于布線距離的差異而會(huì)使電感產(chǎn)生差異。因此，在半導(dǎo)體模塊中，當(dāng)斷開時(shí)會(huì)產(chǎn)生高浪涌電壓，而且由于開關(guān)波...
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