技術(shù)編號(hào)：11869997
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。1064nm增強(qiáng)型Si-PIN光電探測(cè)器及其制作方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種光電探測(cè)器，尤其涉及一種1064nm增強(qiáng)型Si-PIN光電探測(cè)器及其制作方法。背景技術(shù)通常硅材料對(duì)長(zhǎng)波光子的吸收系數(shù)小、穿透深度大，即使優(yōu)化設(shè)計(jì)硅光電探測(cè)器耗盡區(qū)寬度和有源區(qū)增透膜，其對(duì)1064nm波長(zhǎng)的響應(yīng)度都小于0.30A/W。黑硅層是一種對(duì)硅表面進(jìn)行微結(jié)構(gòu)化處理后獲得的材料層，它對(duì)可見光及近紅外光的吸收率可達(dá)到90%以上，且其光譜吸收范圍覆蓋了近紫外~近紅外波段（0.25μm~2.5μm）。在現(xiàn)有“黑硅”技術(shù)中，一般...
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