技術編號：11836888
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明是有關于一種半導體裝置及其制造方法，特別是關于一種具有內(nèi)埋層的半導體裝置及其制造方法。背景技術超高電壓(Ultra-highvoltage，ultra-HV)半導體裝置廣泛地被使用于顯示設備、便攜設備以及許多其他的應用。超高電壓半導體裝置的設計目的包括高的崩潰電壓以及低的導通電阻率(specificon-resistance)。超高電壓半導體裝置的導通電阻率，是通過裝置的梯度區(qū)(dopingconcentrationofagraderegion)的摻雜濃度來加以限制。當梯度區(qū)的摻雜濃度下降...
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