技術(shù)編號(hào):11836824
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種雙極型晶體管的制備方法和一種雙極型晶體管。背景技術(shù)在相關(guān)技術(shù)中,如圖1所示,雙極型晶體管(三極管)的基本結(jié)構(gòu)包括:在襯底1上形成的外延層(第一肼區(qū)2)、第二肼區(qū)3、場(chǎng)氧化區(qū)4、第一離子區(qū)域6A、第二離子區(qū)域6B、隔離層7和金屬電極8。在雙極型晶體管上施加正偏電壓并導(dǎo)通時(shí),基極電流Ib和集電極電流Ic之間存在關(guān)系式如下:Ic=βIb。其中,β為雙極型晶體管的放大系數(shù),主要受到基區(qū)長(zhǎng)度L的影響,Β與L成反比關(guān)系,但是,實(shí)際生產(chǎn)過(guò)程中涉及多步場(chǎng)氧化區(qū)4的...
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