技術(shù)編號(hào)：11836794
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。基于多二維溝道的增強(qiáng)型GaNFinFET技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明屬于微電子技術(shù)領(lǐng)域，涉及到GaN基高效率功率開(kāi)關(guān)、電力電子器件的制作。背景技術(shù)GaN材料由于其良好的半導(dǎo)體特性，基于該材料的AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管HEMT在高溫器件及大功率微波器件方面有著極大的應(yīng)用前景。近年來(lái)，增強(qiáng)型(E-mode)AlGaN/GaNHEMT備受矚目，因?yàn)樵鰪?qiáng)型HEMT在功率開(kāi)關(guān)中能提供固有的自動(dòng)防故障裝置；在數(shù)字電路中能使其有更簡(jiǎn)單的電路結(jié)構(gòu)；在射頻微波電路中則能讓其使用單極性電源電壓等等。增強(qiáng)型AlG...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專(zhuān)利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專(zhuān)利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專(zhuān)利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。