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用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體裝置中邊緣斜角去除區(qū)域的方法和裝置以及電鍍系統(tǒng)與流程技術(shù)資料下載

技術(shù)編號(hào):11836250

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本發(fā)明涉及用于監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體裝置中邊緣斜角去除區(qū)域的方法和裝置以及電鍍系統(tǒng)。背景技術(shù)在晶圓的制造工藝期間,在晶圓上形成集成電路的金屬線是該工藝中的一個(gè)重要步驟??梢酝ㄟ^(guò)電鍍工藝或物理氣相沉積(PVD)工藝形成金屬線。為了增加晶圓的集成密度,晶圓的可用區(qū)域被擴(kuò)大至非常靠近晶圓的邊緣。因此,金屬線也形成在非常靠近晶圓的邊緣上。但是,應(yīng)該通過(guò)所謂的邊緣斜角去除(EBR)工藝去除晶圓邊緣上的不期望的殘余的金屬。由于邊緣斜角區(qū)域鄰近可用區(qū)域,所以控制EBR工藝以確保蝕刻劑蝕刻邊緣斜角區(qū)域而不損害可用區(qū)域。在E...
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