技術(shù)編號：11829539
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及計算機系統(tǒng)結(jié)構(gòu)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種延遲PCM內(nèi)存使用壽命的cache替換方法及裝置。背景技術(shù)隨著多核系統(tǒng)的推廣和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的發(fā)展，計算機存儲系統(tǒng)需要更大的存儲容量來滿足實際需求，其中關(guān)鍵一點是增大內(nèi)存容量。目前的計算機存儲系統(tǒng)大多采用DRAM內(nèi)存。DRAM內(nèi)存可以通過縮小單個存儲單元來提高集成度，從而獲得更大的存儲容量，但隨著DRAM存儲單元縮小到一定程度，要進一步增大DRAM內(nèi)存面臨的困難很大。使用新型存儲材料代替DRAM作為內(nèi)存成為了當(dāng)前的一個研究熱點。在這些新型存儲材料中，...
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