技術(shù)編號(hào):11824461
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。一種低熱導(dǎo)SiCN-Y2SiO5環(huán)境阻障復(fù)合涂層制備方法技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種聚合物前驅(qū)體陶瓷外涂層的制備方法,尤其是涉及一種低熱導(dǎo)SiCN-Y2SiO5環(huán)境阻障復(fù)合涂層制備方法。背景技術(shù)碳纖維增強(qiáng)碳化硅陶瓷基復(fù)合材料(C/SiC,CMCs)是一種新型高性能復(fù)合材料,20世紀(jì)70年代以來,成為結(jié)構(gòu)材料研究領(lǐng)域的新熱點(diǎn)。C/SiC復(fù)合材料由于其具有以下兩方面優(yōu)勢(shì):一方面連續(xù)碳纖維引入提高了復(fù)合材料的韌性,另一方面保留了SiC陶瓷基體強(qiáng)度高、耐高溫等優(yōu)點(diǎn),是一種新型高溫結(jié)構(gòu)材料和功能材料。已在軍用、...
注意:該技術(shù)已申請(qǐng)專利,請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出,在未取得專利權(quán)人授權(quán)前,僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。