技術(shù)編號：11811089
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及用于處理半導(dǎo)體襯底的半導(dǎo)體襯底處理裝置，并且可以發(fā)現(xiàn)在可操作以在半導(dǎo)體襯底的上表面上沉積薄膜的等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積處理裝置中的特定用途。背景技術(shù)半導(dǎo)體襯底處理裝置用于通過包括蝕刻、物理氣相沉積(PVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、原子層沉積(ALD)、等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PEALD)、脈沖沉積層(PDL)、等離子體增強(qiáng)脈沖沉積層(PEPDL)處理和抗蝕劑去除的技術(shù)處理半導(dǎo)體襯底。半導(dǎo)體襯底處理裝置的一種類型是包括含有上電極和下電極的反應(yīng)室的...
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