技術(shù)編號(hào)：11810244
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種微納金字塔氮化鎵基發(fā)光二極管陣列及其制備方法。背景技術(shù)GaN基的LED在大功率照明方面的巨大潛力吸引了很多研究者的注意。InGaN/GaN量子阱結(jié)構(gòu)通常是通過MOCVD生長(zhǎng)于C面藍(lán)寶石上。由于藍(lán)寶石和GaN之間的晶格失配，位錯(cuò)密度可達(dá)到109到1011，限制了GaN基LED在很多方面的應(yīng)用。另外，c面的LED存在很強(qiáng)的內(nèi)部極化場(chǎng)，這種量子限制的斯托克效應(yīng)(QCSE)導(dǎo)致了大電流下量子效率的下降和峰值波長(zhǎng)的藍(lán)移。為了克服以上的問題，研究者嘗試了很多方式，包括G...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。