技術(shù)編號：11803849
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。在垂直磁記錄介質(zhì)上的軟磁性薄膜層中使用的合金，濺射靶材，以及具有軟磁性薄膜層的垂直磁記錄介質(zhì)[相關(guān)申請的交叉引用]本申請要求在2011年9月26日提交的日本專利申請?zhí)?011-209856的優(yōu)先權(quán)，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合在此。[技術(shù)領(lǐng)域]本發(fā)明涉及一種用于在垂直磁記錄介質(zhì)中的軟磁性薄膜層的(Co，F(xiàn)e)-鑭系元素系合金，和一種濺射靶材。[背景技術(shù)]在磁記錄技術(shù)上存在顯著進步，歸因于增加驅(qū)動器的容量，磁記錄介質(zhì)中的記錄密度的提高已經(jīng)取得進展，并且當與過去使用的縱向磁記錄介質(zhì)比較時獲得更高記錄密度的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。
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