技術(shù)編號：11776799
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種電子器件，尤其涉及一種晶體管器件。本發(fā)明還涉及該器件的制備方法。背景技術(shù)相對于以硅為代表的第一代半導(dǎo)體和以砷化鎵為代表的第二代半導(dǎo)體，作為第三代半導(dǎo)體代表的碳化硅材料具有更大的禁帶寬度和臨界擊穿電場，從而適合制造高壓大功率半導(dǎo)體器件。作為國際上功率電子和新型材料領(lǐng)域研究的熱點，SiC一直以來受到學(xué)界的高度重視，并已在Cree、Rohm、Infineon等公司的攻關(guān)推動下，進入商業(yè)化階段。對于一種高性能高可靠性的功率器件，需要有足夠高的耐壓能力，承受高壓主電路通斷；同時，要有盡量低的...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。