技術(shù)編號：11776592
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種柔性結(jié)構(gòu)支撐襯底的制備方法。背景技術(shù)柔性結(jié)構(gòu)的器件自身重量輕，厚度薄，具有較高的可彎曲度，運(yùn)輸及攜帶均十分便利。對于III-V族化合物半導(dǎo)體器件來說，制成柔性結(jié)構(gòu)的重要前提就是去除襯底。在信號傳輸、光通訊、電子信號處理占據(jù)重要地位的光電子器件，如半導(dǎo)體光探測器、半導(dǎo)體激光器、太陽能電池、異質(zhì)結(jié)雙極性晶體管、高電子遷移率晶體管等，很大一部分的成本也來自于生長所需的襯底，特別是針對磷化銦基，砷化鎵基的器件。如若襯底能夠回收利用，則成本將會很大程度的降低。更...
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