技術編號：11772800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種用來將具備SiC基板的板狀的加工對象物沿著切斷預定線進行切斷的激光加工方法。背景技術SiC（碳化硅），是作為能夠制造耐熱性、耐高電壓性、省電性優(yōu)異的功率器件的半導體材料而引人注目。然而，由于SiC是具有僅次于鉆石的硬度的難加工材料，因此，若要將具備SiC基板的板狀的加工對象物通過刀片切割進行切斷，則需要進行低速度的加工或頻繁地更換刀片。因此，通過對加工對象物照射激光，沿著切斷預定線在SiC基板的內部形成改質區(qū)域，以該改質區(qū)域為起點而沿著切斷預定線將加工對象物進行切斷的激光加工方法已...
注意：該技術已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權人授權前，僅供技術研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。