技術(shù)編號(hào):11761960
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及時(shí)序控制電路領(lǐng)域,具體涉及一種鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的電源時(shí)序控制電路。背景技術(shù)鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FerroelectricRAM),縮寫為FeRAM或FRAM,類似于SDRAM,是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)。但因?yàn)樗褂昧艘粚佑需F電性的材料,取代原有的介電質(zhì),使得它也擁有非揮發(fā)性內(nèi)存的功能。鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有不揮發(fā)性和抗輻射性,功耗低,寫操作速度快,可比EEPROM高兩個(gè)數(shù)量級(jí),寫操作次數(shù)高,可達(dá)100億次,比EEPROM高數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。FeRAM被認(rèn)為是未來(lái)存儲(chǔ)技術(shù)的主流,根據(jù)預(yù)測(cè)...
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