技術編號：11733307
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一發(fā)光元件，尤其是涉及一包含熱敏層的發(fā)光元件。背景技術發(fā)光二極管(LED)是一種固態(tài)半導體元件，發(fā)光二極管(LED)包含一發(fā)光元件結構，其中發(fā)光元件結構至少包含一p型半導體層、一n型半導體層與一活性層，其中活性層形成于p型半導體層與n型半導體層之間。發(fā)光元件的結構包含由三-五族元素組成的化合物半導體，例如磷化鎵(GaP)、砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)，其發(fā)光原理是在一外加電場作用下，利用n型半導體層所提供的電子與p型半導體層所提供的空穴在活性層的p-n接面附近復合，將電能轉換成...
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該專利適合技術人員進行技術研發(fā)參考以及查看自身技術是否侵權，增加技術思路，做技術知識儲備，不適合論文引用。