技術(shù)編號(hào)：11733251
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。高集成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件及其制造方法相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求2012年3月14日向韓國專利局提交的申請(qǐng)?zhí)枮?0-2012-0026091的韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過引用合并于此。技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明的示例性實(shí)施例涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體而言，涉及一種相變隨機(jī)存取存儲(chǔ)（PCRAM）器件及其制造方法。背景技術(shù)PCRAM器件是非易失性存儲(chǔ)器件中的一種，包括電阻根據(jù)溫度而改變的相變材料。相變材料通常包括含有鍺（Ge）、銻（Sb）以及碲（Te）的硫族化物材料。相變材料根據(jù)溫度改變成非晶狀...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。