技術(shù)編號(hào)：11709893
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種信號(hào)接收裝置和信號(hào)處理設(shè)備。背景技術(shù)隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，高速和低功耗在集成電路中變得越來越重要。在半導(dǎo)體器件的制造工藝中，可以通過減小柵極氧化物的厚度來提高操作速度，但是這會(huì)限制在柵極氧化物上所允許的電場(chǎng)強(qiáng)度。當(dāng)操作電源電壓高于器件的耐受電壓(例如，柵極氧化物所允許的電壓)時(shí)，傳統(tǒng)的輸入輸出I/O結(jié)構(gòu)將不能正常工作。因此，有必要提出一種方案使得耐壓低的器件能夠工作在高的電源電壓下。發(fā)明內(nèi)容本公開的一個(gè)實(shí)施例的目的在于提出一種信號(hào)接收裝置，其能夠利用低耐壓的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。
該類技術(shù)注重原理思路，無完整電路圖，適合研究學(xué)習(xí)。